二極管芯片高低溫測試設(shè)備需通過專用設(shè)備模擬惡劣溫度環(huán)境，驗證其在-70℃至+200℃范圍內(nèi)的性能穩(wěn)定性、可靠性及失效模式。以下從設(shè)備類型、關(guān)鍵參數(shù)、應(yīng)用場景及選型建議四方面展開分析：

一、主流設(shè)備類型及技術(shù)參數(shù)

高低溫濕熱試驗箱（恒溫恒濕箱）

溫度范圍：-70℃至+150℃（部分可達+200℃），濕度范圍20%RH~98%RH。

控制精度：溫度波動度≤±0.5℃，均勻性≤±2℃，濕度波動±2%RH。

升降溫速率：平均1℃/min~3℃/min（非線性空載），如從20℃升至150℃約40分鐘。

核心功能：

模擬溫濕度循環(huán)（如85℃/85%RH雙85測試），檢測芯片在高濕環(huán)境下的漏電、氧化等問題。

支持程式控制（如150段程序）、數(shù)據(jù)記錄及遠程監(jiān)控。

典型應(yīng)用：芯片研發(fā)、封裝測試、可靠性篩選。

高低溫沖擊試驗箱（冷熱沖擊箱）

溫度范圍：-115℃至+225℃，溫度控制精度±0.5℃。

沖擊速率：可實現(xiàn)-55℃至+125℃的快速切換（如軍規(guī)級芯片要求20℃/min升降溫速率）。

核心功能：

模擬溫度驟變環(huán)境，檢測芯片焊盤脫落、線路斷裂等熱應(yīng)力失效。

射流式設(shè)計確保溫度均勻性，避免測試死角。

典型應(yīng)用：汽車電子、航空航天、高頻交易芯片的惡劣環(huán)境測試。

高精度制冷加熱控溫系統(tǒng)（熱流儀）

溫度范圍：-92℃至+250℃，控溫精度±0.1℃（氟化液制冷型）。

核心功能：

流體溫度控制技術(shù)實現(xiàn)毫秒級響應(yīng)，適用于IC封裝組裝、工程測試階段。

支持無腐蝕性氣體降溫（如氮氣、氬氣），滿足特殊工藝需求。

典型應(yīng)用：半導體材料研發(fā)、光電器件測試。

二、二極管芯片高低溫測試設(shè)備設(shè)備選型關(guān)鍵參數(shù)

溫度范圍與速率

根據(jù)芯片應(yīng)用場景選擇：消費電子通常需-40℃至+125℃，汽車電子需-55℃至+150℃，級需-70℃至+200℃。

升降溫速率影響測試效率，快速溫變試驗箱（如10℃/min）可縮短研發(fā)周期。

均勻性與波動度

溫度均勻性≤±2℃、波動度≤±0.5℃是行業(yè)基準，確保測試結(jié)果可重復。

采用多翼式送風機和風道循環(huán)設(shè)計，避免測試區(qū)域溫差過大。

控制方式與數(shù)據(jù)記錄

彩色觸屏控制器支持多段程序控制，USB/以太網(wǎng)接口實現(xiàn)數(shù)據(jù)導出與遠程監(jiān)控。

惡劣設(shè)備配備AI循環(huán)風控制系統(tǒng)，自動除霜且不影響庫溫。

安全與保護功能

過溫保護、過流保護、漏電保護是標配，部分設(shè)備增加總電源相序和缺相保護。

獨立超溫保護器可在主控制器故障時切斷加熱電源，防止設(shè)備損壞。

三、應(yīng)用場景與測試標準

研發(fā)階段

通過高低溫循環(huán)測試驗證芯片設(shè)計缺陷，如二極管反向電流隨溫度升高的穩(wěn)定性。

參考標準：GB/T 4937.42-2023（半導體器件溫濕度貯存）、IEC 68-2-14（溫度變化試驗）。

生產(chǎn)階段

批量測試芯片在惡劣溫度下的電性能參數(shù)（如閾值電壓、漏電流）。

結(jié)合HAST試驗（高度加速應(yīng)力測試）檢測高溫高濕環(huán)境下的封裝失效。

失效分析

利用冷熱沖擊試驗箱定位芯片焊盤脫落、金屬連接失效等根因。

通過PCT試驗（壓力鍋試驗）模擬高壓強環(huán)境，分析芯片腐蝕氧化問題。

四、選型建議

適用于基礎(chǔ)測試需求，溫度范圍-20℃至+100℃，功能較單一。

中級設(shè)備：覆蓋-40℃至+150℃，支持程式控制與數(shù)據(jù)記錄，滿足多數(shù)實驗室需求。

定制設(shè)備：定制溫度范圍（如-70℃至+200℃）、超快升降溫速率（20℃/min），適用于汽車電子。

推薦策略：

若測試重點為溫濕度循環(huán)，優(yōu)先選擇高低溫濕熱試驗箱（-20℃至+150℃）。

對于高頻交易芯片等高精度場景，采用氟化液制冷型熱流儀（控溫精度±0.1℃，但價格較高）。